电子二次倍增饱和现象和抑制措施  

作　　者：李砚平[1] 马伊民[1] 

机构地区：[1]西安空间无线电技术研究所,西安710000

出　　处：《空间电子技术》2008年第4期36-40,共5页Space Electronic Technology

摘　　要：文章针对金属和介质两种电子二次倍增典型现象,运用功率损耗的解析表达式,分析两种饱和现象的不同饱和机制,由此说明在这两种情况下影响二次电子倍增的因素不同,抑制措施也不同。

关 键 词：金属 介质 二次倍增 功率损耗 饱和机制 抑制 

分 类 号：TN152[电子电信—物理电子学] TN248