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作 者:刘必鎏[1] 时家明[1] 赵大鹏[1] 张玮[1] 许波[1]
机构地区:[1]电子工程学院安徽省红外与低温等离子体重点实验室,安徽合肥230037
出 处:《激光与红外》2009年第1期42-45,共4页Laser & Infrared
基 金:"新世纪优秀人才支持计划"资助;安徽省红外与低温等离子体重点实验室基金项目(No.2007A005005E)资助
摘 要:激光隐身和红外隐身的兼容是现代战场的迫切需求,但是二者对材料的要求是相互制约的,利用掺杂光子晶体的缺陷能级形成的"光谱挖孔"结构可以很好地解决这一难题。利用薄膜光学理论中的特征矩阵法计算了设计的掺杂ZnSe的CdSe/SiO2光子晶体薄膜的反射、透射和吸收光谱,计算结果表明掺杂光子晶体能够很好的满足热红外与1.06μm或10.6μm激光隐身兼容的要求。指出掺杂光子晶体的缺陷能级是由高透射引起的低反射,并不满足激光隐身的实际要求,解决方法是在光子晶体薄膜的基底中引入吸收材料,从而把缺陷能级透过的激光吸收掉。Compound camouflage of laser and infrared is an urgent demand of modem battlefield, but the requirements of laser and infrared camouflage are contradictory. This problem could be solved by the defect level structure of doped photonic crystals. The reflectance spectrum, transmitted spectrum and absorption spectrum of CdSe/SiO2 phntonic crystals thin film doped with ZnSe were calculated by the characteristic matrix method of thin-film optical theory. The result shows that the doped photonic crystals could satisfy the demand of compound camouflage of thermal infrared and 1. 06μm or 10.6μm laser. The low reflection of the defect level of doped photonie crystals is caused by the high transmission ,which do not satisfy the practice demand of laser camouflage. If the photonic crystals thin film is added with a layer of absorbing substrate, the laser which passes through the defect level will be absorbed.
分 类 号:TJ765.5[兵器科学与技术—武器系统与运用工程]
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