一种基于CMOS工艺的掩模ROM设计  

A mask ROM design based on CMOS technology

作　　者：张亚灵[1] 徐东明[1] 

机构地区：[1]西安邮电学院电子与信息工程系,陕西西安710121

出　　处：《西安邮电学院学报》2009年第1期101-104,共4页Journal of Xi'an Institute of Posts and Telecommunications

摘　　要：介绍了一种基于0.25μmCMOS工艺的128 Kbit掩模ROM设计,对ROM的结构和各模块进行了详细分析,研究了灵敏放大器的工作机理和结构,设计了一种新颖的灵敏放大器,使ROM的访问速度得到了有效的提高。This paper introduces a design of a 128K bit mask CMOS ROM based on 0.25μm CMOS, and particularly analyses the structure of ROM. This article studies working mechanisms and the architecture of sensitive amplifier. Using a novel and simple sensitive amplifier structure efficiently reduces the memory access time.

关 键 词：只读存储器 存储阵列 地址译码器 灵敏放大器 

分 类 号：TN40[电子电信—微电子学与固体电子学]