基于InSb-In磁敏电阻器的双限温度开关的设计  

Design of temperature switch based on InSb-In magnetoresistor

作　　者：刘冰[1] 黄钊洪[1] 孔令涛[1] 

机构地区：[1]华南师范大学信息光电子科技学院光子信息技术重点实验室,广东广州510006

出　　处：《传感器与微系统》2009年第1期65-67,共3页Transducer and Microsystem Technologies

摘　　要：介绍一种用InSb—In共晶体薄膜磁敏电阻器（MR）制成的双限温度开关的温控机理和特性。实验表明：由InSb—In磁敏电阻器和信号处理电路两部分组成的温度开关，具有灵敏度高、控温范围宽的优点，在低温区，其灵敏度可以高达30mV／℃以上，常温下也可达到23mV／℃左右；其上下限温度调整范围为-40～120℃，测温精度可达到±0．1℃。A temperature detect switch made up from InSb-In eutectic film magnetor resistor （MRGS）is introduced. The temperature detect switch including a magneticresistor and a single processing circuit has a high sensitivity and a wide temperature control range. The experience proves that its sensitivity can reach more than 30 mV/℃ in low temperature and more than 23 mV/℃ in normal temperature. The range of adjusted temperature is --40 -120 ℃. The measurement accuracy can reach 4-0.1 ℃.

关 键 词：InSb—In共晶体薄膜 磁敏电阻器 双限温度开关 

分 类 号：TP273[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]