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机构地区:[1]武汉理工大学材料学院,湖北武汉430070 [2]钢铁研究总院,北京100081
出 处:《功能材料》2009年第1期40-42,共3页Journal of Functional Materials
基 金:国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2007AA03Z232)
摘 要:用粉末冶金工艺结合SPS烧结制备了p型(Bi0.2Sb0.8)2Te3和n型Bi2(Te0.975Se0.025)3多晶半导体合金,研究烧结工艺对其热电性能的影响。结果表明,室温下,p型(Bi0.2Sb0.8)2Te3材料的热电优值Z为3.25×10-3K-1,n型Bi2(Te0.975Se0.025)3材料的热电优值Z为2.21×10-3K-1。The n-type Bi2(Te0.975 Se0.025)3 and p-type (Bi0. 2 Sb0. 8 )2 Te3 polycrystalline thermoelectric alloys were prepared by powder metallurgy method and spark plasma sintering. The thermoelectric properties of samples were observed. The results show that the figure of merit Z of p-type (Bi0.2Sb0.8)2Te3 samples was found to be about 3.25 ×10^-3K^-1. The figure of merit Z of n-type Bi2(Te0.975 Se0.025)3 samples was found to be about 2.2 1×10^-3K^-1.
关 键 词:Bi2(Te0.975 Se0.025)3 (Bi0.2 Sb0.8)2Te3 SPS烧结 热电性能
分 类 号:TN3[电子电信—物理电子学]
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