半导体激光辐照对痢疾杆菌耐药性的影响  

The Effect of Semiconductor Laser Irradiation on the Dysentery Bacilli

作　　者：陈荣[1,2,3] 欧琳[1,2,3] 温彩霞[1,2,3] 许少峰[1,2,3] 雷焕英[1,2,3] 

机构地区：[1]福建师范大学 [2]福建医科大学 [3]福建省人民医院

出　　处：《福建师范大学学报（自然科学版）》1998年第1期115-118,共4页Journal of Fujian Normal University：Natural Science Edition

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：采用４００ｍＷ近红外ＬＤ激光辐照志贺氏福氏痢疾杆菌．研究证明，ＬＤ激光辐照引起了高耐药性能的痢疾杆菌致死以及耐药性的降低．实验中采用菌落计数法优于抑菌圈法．mW near infrared semiconductor laser was used to irradiate the S flexnexi with high drug resistance.Laser irradiation can cause the death of the bacteria and lower its drug resistance.In the experiment the colonial count method is better than the inhibitorical ring method.

关 键 词：痢疾杆菌 耐药性 半导体激光辐照 激光生物医学 

分 类 号：R378.25[医药卫生—病原生物学] R318.51[医药卫生—基础医学]