前驱体中Bi含量对Bi3．4Ce0．6Ti3O12薄膜结构和性能的影响  

作　　者：付承菊[1] 黄志雄[1] 李杰[2] 郭冬云[3] 

机构地区：[1]武汉理工大学材料科学与工程学院,武汉430070 [2]重庆科技学院机械工程学院,重庆400042 [3]武汉大学物理科学与技术学院,武汉430072

出　　处：《中国科学（E辑）》2009年第1期156-160,共5页Science in China(Series E)

基　　金：湖北省自然科学基金资助项目(批准号:2007ABA309)

摘　　要：分别配制了Bi含量为90,100和110mole%的前驱体,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备Bi3.4Ce0.6Ti3O12薄膜,研究前驱体中Bi含量对其微观结构和铁电性能的影响.前驱体中Bi含量增加可以有效地改善薄膜的结晶性能和表面形貌.对Pt/Bi3.4Ce0.6Ti3O12/Pt电容结构进行电学性能测量,发现Bi过量10%的前驱体制备的Bi3.4Ce0.6Ti3O12薄膜具有较好的性能:室温下,在测试频率1kHz时,其介电常数为172,介电损耗为0.033;在测试电场为600kV/cm时,其剩余极化值(2Pr)和矫顽电场(2Ec)分别达到67.1μC/cm2和299.7kV/cm;同时还表现出良好的抗疲劳特性和绝缘性能.

关 键 词：铁电性能 Bi3.4Ce0.6Ti3O12薄膜 Sol—gel法 Bi含量 

分 类 号：TB383.2[一般工业技术—材料科学与工程]