英特尔硅光电子学重大技术突破  

作　　者：雷霆 罗国昭 

出　　处：《新电脑》2009年第1期165-165,共1页

摘　　要：2008年12月7日，英特尔宣布其研究团队在硅光电子学领域取得了又一项重大的技术突破，成功使用基于硅的雪崩光电探测器（Silicon—based Avalanche Photodetector）实现了创世界纪录的高性能。英特尔院士、光电子学技术实验室总监Mario Paniccia博士表示，使用新的基于硅的雪崩光电探测器将使现有硅光电子系统的传输速度提高10倍，或者距离提高10倍，或者能耗节约10倍。

关 键 词：光电子学 英特尔 技术 雪崩光电探测器 硅 光电子系统 传输速度 

分 类 号：TP332[自动化与计算机技术—计算机系统结构] TN201[自动化与计算机技术—计算机科学与技术]