GaInP/GaAs/Ge三结叠层光电池光谱响应的温度特性  

Temperature dependent spectral response characteristic of Ⅲ-V compound tandem cell

作　　者：刘磊[1,2] 陈诺夫[2] 汪宇[2] 白一鸣[2] 崔敏[2] 高福宝[2] 

机构地区：[1]河北大学电子信息工程学院,保定071002 [2]中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京100083

出　　处：《科学通报》2009年第1期16-20,共5页Chinese Science Bulletin

摘　　要：利用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)制备了转化效率达27.1%的GaInP/GaAs/Ge三结叠层电池,并对其光谱响应的温度特性进行了测量研究.通过光谱响应曲线观察到各子电池的吸收边随温度升高发生红移,这主要归因于电池材料禁带宽度的变窄效应.根据光谱响应数据计算得到的GaInP/GaAs/Ge叠层电池各子电池在室温下的短路电流密度分别为12.9,13.7和17mA/cm2,且叠层电池的短路电流密度的温度系数为8.9μA/(cm2.℃).最后,根据叠层电池的串联结构推导了其电压温度系数为-6.27mV/℃.

关 键 词：光谱响应 叠层电池 温度系数 

分 类 号：TM914[电气工程—电力电子与电力传动]