掺杂铌酸锂晶体体全息存储的研究  

作　　者：杨飞[1] 蔡子亮[1] 

机构地区：[1]许昌学院电气信息工程学院,河南许昌461500

出　　处：《科技信息》2008年第33期39-39,42,共2页Science & Technology Information

摘　　要：用提拉法生长的Ce(0.09%),Cu(0.01%),LiNbO3晶体和Zn(3%),Fe(0.09%),LiNbO3晶体,切割后分别对晶体极化氧化处理,对晶体的抗光致散射能力和衍射效率测试后,分别进行单幅图像存储和多幅图像的复用存储。实验表明,晶体的抗光致散射能力和衍射效率直接影响体全息存储的效果。

关 键 词：铌酸锂晶体 体全息存储 角度复用 

分 类 号：O614.111[理学—无机化学] TP333.42[理学—化学]