检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
机构地区:[1]西安电子科技大学电路CAD研究所,西安710071
出 处:《微电子学》2009年第1期16-20,共5页Microelectronics
基 金:国家自然科学基金资助项目(60172004);西安应用材料创新基金资助项目(XA-AM-200504)
摘 要:基于三极管BE结电压的负温度特性原理,提出了一种零温度系数电流基准电路。该电路具有结构简单、无需带隙基准单元、静态功耗低、启动快速、对电源电压不敏感等优点,实用性高。在0.5um标准CMOS工艺下,Hspice模拟结果显示,在25℃、1.8~5.5V范围内,基准电流变化0.019uA;在1.8V、-40℃~125℃范围内,基准电流变化0.09uA。该新方案可用于无需电压基准、低功耗、需要快速启动的混合信号系统设计。A novel scheme for zero-temperature-coefficient current reference circuit was presented based on negative temperature-coefficient of base-emitter (BE) junction voltage. The circuit features a simple structure without band gap reference (BGR), fast startup, low power consumption, and insensitivity to power supply. Hspice simulation based on 0. 5 um standard CMOS process indicated a max-to-min fluctuation of 0. 019 uA with voltage ranging from 1.8 V to 5.5 V at 25℃ and 0. 09 uA with temperature ranging from -40 ℃ to 125℃ at 1.8 V. The new scheme is applicable for low power and fast startup mixed-signal systems with battery-free reference.
分 类 号:TN431.1[电子电信—微电子学与固体电子学]
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