高能Ar离子辐照聚酯薄膜潜径迹蚀刻  

^The latent track etching of PET films irradiated by 40 Ar ions

作　　者：孙友梅[1] 李长林[1] 刘刚[1] 马峰[1] 金运范[1] 刘杰[1] 候明东[1] 

机构地区：[1]中国科学院近代物理研究所

出　　处：《核技术》1998年第1期27-30,共4页Nuclear Techniques

摘　　要：通过对０００ＭｅＶＡｒ离子辐照聚酯（ＰＥＴ）薄膜潜径迹蚀刻过程的研究，给出了表征ＰＥＴ聚合物材料特性的径迹可蚀刻性的能损阈值（ｄＥ／ｄＸ）ｃ，并通过不同方法讨论了ＰＥＴ膜的径迹蚀刻速度和体蚀刻速度。The energy loss effect in the latent track etching process of PET films irradiated by 900MeV argon ions is discussed. The critical energy-Ioss rate (dE/dX). which is characteristic of the material(PET) is also given. The bulk etching rate Vb and track etching rate Vt are obtained with different methods.

关 键 词：PET 潜径迹 氩离子辐照 固体径迹探测器 

分 类 号：TL815.7[核科学技术—核技术及应用]