用于半导体器件模拟的高精度三次样线法  

A High Precision SADI Method for the Semiconductor Device Simulation

作　　者：刘战[1] 沈静静[2] 顾晓峰[2] 于宗光[2] 胡西多[3] 臧佳锋[2] 

机构地区：[1]五邑大学信息学院,广东江门529020 [2]江南大学信息工程学院,江苏无锡214036 [3]东莞理工学院电子工程系,广东东莞523808

出　　处：《固体电子学研究与进展》2008年第4期483-487,544,共6页Research & Progress of SSE

摘　　要：采用三次样线方法(SADI)与高阶紧致差分相结合的方法计算用于半导体器件模拟的漂移扩散模型(DD)模型,并实现了该算法在半导体器件模拟中的应用。数值计算表明,这种方法可以降低方程的迭代次数约35%,并明显减少方程的求解时间。In this paper, we apply the SADI, an improved cubic spline method, and high-order compact finite difference method to simulate the drift-diffusion （DD） model, which is used to approximate characteristic of the semiconductor device. Numerical results present that this method can decrease the number of iterative by 35% and reduce the computation time greatly.

关 键 词：三次样线方法 高阶紧致差分 器件模拟 

分 类 号：TN303[电子电信—物理电子学]