不同空穴阻挡材料对白色OLED性能的影响  

Improved Performances of White Organic Light-emitting Devices Using Different Hole-blocking Materials

作　　者：丁桂英[1] 姜文龙[1] 汪津[1] 王立忠[1] 常喜[1] 王广德[1] 

机构地区：[1]吉林师范大学信息技术学院,吉林四平136000

出　　处：《固体电子学研究与进展》2008年第4期528-531,553,共5页Research & Progress of SSE

基　　金：吉林省科技发展计划项目(编号:20050523);吉林省教育厅科研计划项目(吉教科合字[2003]第25号;吉教科合字[2004]第54号);四平科技局计划项目(四科合字第2005007号;四科合字第2006008号)

摘　　要：采用Alq3、TPBi和BCP分别作为电子传输材料和空穴阻挡材料,制备了三种器件,研究了用不同的空穴阻挡材料对器件性能的影响。实验结果表明:只采用30nm Alq3作电子传输层的器件的电流效率最大值为7.84cd/A(9V),而采用10nm Alq3作电子传输层,插入20nm的BCP和TPBi作空穴阻挡层的器件获得的电流效率最大值分别为9.72cd/A和12.21cd/A(9V)。这些结果说明空穴阻挡材料能改善器件的性能,TPBi比以BCP作为空穴阻挡层的器件性能有了很大的改善,制备的白色OLED的最大亮度和电流效率分别为22400cd/m2(17V)和12.21cd/A(9V)。We have fabricated white organic light-emitting devices （WOLEDs） using Alq3, TPBi and BCP as different electron-transporting and hole-blocking materials, respectively. The results show that the device using 30 nm Alq3 as electron-transporting layer （ETL） only has the maximum luminous efficiency of 7.84 cd/A（9 V）; while the devices employ a 10 nm Alq3 as the electron-transporting layer and a 20 nm BCP or TPBi as hole-blocking layer inserted at the inter- face between Alq3 and DPVBi layer, the maximum luminous efficiency of the devices are 9.72 cd/ A and 12.21 cd/A （9 V）, respectively. The results demonstrate that performances of WOLEDS using BCP and TPBi as hole-blocking layer are all improved. The OLED using TPBi has maximum luminance of 22 400 cd/m^2（17 V） and a maximum luminous efficiency of 12.21cd/A （9V）.

关 键 词：白色有机电致发光器件 空穴阻挡材料 效率 

分 类 号：TN383[电子电信—物理电子学]