非平衡系统中双电子复合对电子占据数的影响  

EFFECTS OF DIELECTRONIC RECOMBINATION ON ELECTRON OCCUPATION NUMBER FOR NON LTE SYSTEM

作　　者：吴泽清[1,2] 李世昌[1,2] 韩国兴[1,2] 

机构地区：[1]中国工程物理研究院研究生部 [2]北京应用物理与计算数学研究所计算物理实验室

出　　处：《强激光与粒子束》1998年第1期54-58,共5页High Power Laser and Particle Beams

基　　金：国家863惯性约束聚变领域和激光技术领域及中国工程物理研究院科学基金

摘　　要：在求解平均原子中各能级的电子占据几率的速率方程时，加入了双电子复合效应的影响。以Ａｌ等离子体为例，在不同温度密度条件下，通过大量的数据计算，分析了双电子复合对电子占据数的影响，给出了双电子复合影响较大的温度密度区域。并对Ａｕ等离子体进行了计算。Dielectronic Recombination(DR) has been included in the solution of the rate equations in the average atom(AA) model.Employing the method proposed by Zao Libo and Li Shichang the DR rate coefficients was calculated.The results show that DR plays an important role in some cases in Al plasma and the average degree of ionization for Au plasma is sharply decreased after considering DR process.

关 键 词：非平衡 电子占据数 双电子复合 等离子体 

分 类 号：O53[理学—等离子体物理] TL612[理学—物理]