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作 者:袁明军[1,2] 崔文权[3] 李苹[1,2] 冯良荣[1]
机构地区:[1]中国科学院成都有机化学研究所,成都610041 [2]中国科学院研究生院,北京100039 [3]河北理工大学化学与生物技术学院,河北唐山063009
出 处:《材料科学与工艺》2008年第6期751-754,共4页Materials Science and Technology
摘 要:为了更好地研制和应用压敏电阻元件,介绍了TiO2压敏电阻的基本性质,压敏机理以及研究现状,阐述了制备过程中掺杂物种、掺杂浓度、烧结温度、粉体材料等因素对二氧化钛压敏电阻性能的影响.研究表明,TiO2系列压敏电阻具有较低的压敏电压、较高的非线性系数、超高的介电常数,并且制备工艺简单.TiO2系列压敏电阻能有效弥补SrTiO3和ZnO系压敏电阻器所存在的不足之处,是低压压敏陶瓷的研发方向.For further investigating and applying ceramic varistors, current studies and the electronic mechanism of TiO2 varistor are presented in this paper. The doping species, doping concentration, sinter temperature and starting material, which affect electrical properties of TiO2 varistor are discussed. With excellent electrical properties, such as low breakdown voltage, high nonlinear coefficient and ultrahigh electrical permittivity, the TiO2 varistor offsets the shortcomings of SrTiO3 and ZnO varistors and now becomes the developmental trend of ceramic varistors with low breakdown voltage.
分 类 号:TN304.93[电子电信—物理电子学]
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