FeMnSi系SMA预应变过程的正电子湮没研究  

POSITRON ANNIHILATION STUDIES ON PRESTRAIN IN FeMnSi SHAPE MEMORY ALLOYS

作　　者：夏瑞东[1] 刘涛[1] 刘冠威[1] 马如璋[1] 王文华[2] 郭应焕[2] 

机构地区：[1]北京科技大学材料物理系 [2]中国科学院高能物理研究所核分析技术开放实验室

出　　处：《功能材料与器件学报》1998年第1期62-66,共5页Journal of Functional Materials and Devices

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：用正电子湮没技术对一系列ＦｅＭｎＳｉ基形状记忆合金的预应变过程进行了研究。结果显示形变过程中不同阶段缺陷结构的变化及其对合金成分的依赖关系，并就不同缺陷结构对合金形状记忆效应的影响进行了讨论。he positron annihilation technique was employed to investigate the strain process in a series of FeMnSi shape memory alloys The results indicate that the variation of defect structure associated with the different stages in the prestrain and with the composition of alloys The influence of defects on the shape memory effect of alloys was discussed

关 键 词：形状记忆合金 缺陷结构 正电子湮没 马氏体相变 

分 类 号：TG139.6[一般工业技术—材料科学与工程]