可用于弱光探测器的量子线研究进展  

Research Progresses of Quantum Wires for Weak Light Detection

作　　者：鞠研玲[1] 杨晓红[1] 韩勤[1] 杜云[1] 倪海桥[2] 黄社松[2] 王鹏飞[2] 贺继方[2] 牛智川[2] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,北京100083 [2]中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京100083

出　　处：《半导体光电》2009年第1期11-15,共5页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：国家"973"计划项目(2007CB936304;2006cB302802);国家"863"计划项目(2007AA03Z421)

摘　　要：以量子线作为导电沟道的场效应弱光探测器可在低工作电压下达到很高灵敏度。文章主要对可用于此种弱光探测器的V型和脊形量子线的生长机理和制备方法进行综述,给出了量子线的PL测试结果。采用MBE外延生长法在V型槽图形衬底上生长了GaAs/AlGaAs量子线FET外延结构,扫描电子显微镜下初步判定在V型槽底部形成了截面近三角形的量子线结构。The low-light quantum wire detector can get high sensitivity under a low working voltage, utilizing the quantum wires as the electrical channel. In this paper, presented is a review of the epitaxial growth mechanism and fabrication techniques of these quantum wires, such as V-grooved quantum wires and the Ridge-type quantum wires, with the addition of PL spectrum results of these quantum wires. GaAs/AlGaAs quantum wires were built on V-shaped GaAs substrate using MBE method. The quasi-triangular quantum wires were formed at the V-groove bottom under scanning electron microscopy （SEM）.

关 键 词：光电探测器 V型槽量子线 量子线 

分 类 号：TN471.1[电子电信—微电子学与固体电子学]