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作 者:周光明[1] 卫增泉 李文建[1] 何静[1] 李强[1] 王菊芳[1] 蔡喜臣[1] 颉红梅[1] 黄涛 党秉荣[1] 陈卫强[1] 张红[1] 韩光武[1] 梁建平 张树民[1] 彭秀茹[1] 高清祥[2] 张岳 陈彦杰
机构地区:[1]中国科学院近代物理研究所 [2]兰州大学生物系
出 处:《生物物理学报》1998年第1期145-149,共5页Acta Biophysica Sinica
基 金:攀登计划(B)"项目;中国科学院兰州分院基金
摘 要:DNA双链断裂(DSBs)是电离辐射诱导的最重要的原发损伤,研究DSBs有利于揭示细胞辐射敏感性的机理。用倒转脉冲场凝胶电泳结合荧光扫描进行DNA定量研究75MeV/u12C6+对小鼠B16黑色素瘤细胞DSBs的诱导,结果表明:DSBs产额约为0.74DSBs/100Mbp/Gy;DNA片段分布在两个区域。大片段区分子量约为1.4Mbp~3.2Mbp,分子量小于1.2Mbp的为小片段区;并且随着剂量的增加,大片段区DNA含量逐渐下降,而小片段区的DNA含量显著增加。表明B16DNA分子上可能存在对重离子较为敏感的位点。
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