氧化锌纳米线阵列的制备及发光特性研究  

作　　者：张斌[1] 周少敏[1] 刘兵[1] 巩合春[1] 杜祖亮[1] 张兴堂[1] 

机构地区：[1]河南大学特种功能材料教育部重点实验室,开封475004

出　　处：《中国科学（E辑）》2009年第2期256-260,共5页Science in China(Series E)

基　　金：国家重点基础研究"973"前期专项(批准号:2007CB616911);河南省高校科技创新人才支持计划(批准号:2008HASTIT002);河南省创新型科技人才队伍建设工程

摘　　要：采用物理气相沉积的方法,在较低的温度下(500℃)制备出高产率的高度有序的单晶氧化锌纳米线阵列.对所制得的氧化锌纳米线阵列进行表征发现其在[001]取向优先生长.室温光致发光谱测试发现,样品在紫外光激发下有很强的绿光发射(峰值波长约500nm)和稍弱的紫外光发射(峰值波长约380nm).基于其优异的发光性能,初步探讨了其发光机理,并对其生长机制进行了简单的讨论.

关 键 词：Ⅱ-Ⅵ族半导体 纳米结构 光致发光 

分 类 号：TB383.1[一般工业技术—材料科学与工程]