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机构地区:[1]中国科学院上海光学精密机械研究所 [2]上海大学物理系 [3]中国科学院长春光学精密机械研究所
出 处:《光学精密工程》1998年第3期22-27,共6页Optics and Precision Engineering
摘 要:描述了一个超短脉冲引起的电介质激光损伤的理论模型,这个模型考虑了多光子电离、雪崩电离、电子-离子复合和电子扩散。通过假设激光脉冲为高斯型,数值计算得到了激光脉冲宽度与激光辐射损伤间的依赖关系。对于大于10ps的脉冲宽度,数值结果与平方根关系符合很好,对于亚皮秒激光脉冲,通过适当选择损伤的评价标准,我们的模型解释了Du等[10]和Stuart[11]等的相对实验结果。A theoretical model is developed to describe the process of laserinduced damage of dielectrics with ultrashort pluses,in which the multiphoton ionization,avalanche ionization,electronion recombination,and the electron diffusion are taken into account.By assuming a Gaussian temporal shape of laser pulse,some numerical results of the threshold dependence on pulse duration are presented.For pulse length longer than 10ps,the numerical results agree well with the squareroot relation.For pulse length of subpicosecond,our model principally explains the opposite experimental results of Du et al.'s (Appl.Phys.Lett.,64,3071(1994)and Stuart el al.'s (Phys.Rev.Lett,74,2248(1995) by properly choosing the criterion of damage.
分 类 号:TN241[电子电信—物理电子学]
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