氢促进位错发射的分子动力学模拟  

作　　者：周国辉[1] 周富信[2] 赵雪丹 张文清[3] 陈难先[3] 万发荣[1] 褚武扬[1] 

机构地区：[1]北京科技大学材料物理系,北京100083 [2]中国科学院力学研究所,北京100080 [3]北京科技大学应用物理研究所,北京100083

出　　处：《中国科学（E辑）》1998年第1期1-5,共5页Science in China(Series E)

基　　金：国家自然科学基金资助项目 !(批准号 :19392 30 0 6 )

摘　　要：利用第一原理和陈氏三维晶格反演公式获得了Al和H的互作用对势 .分子动力学计算表明 ,当Al晶体中含H时 ,裂尖发射位错的临界应力强度因子从0 .1 1MPam降低为 0 .0 75MPam(CH=0 .72 % )和 0 .0 6MPam(CH=1 .44% ) ,即氢促进了位错的发射 .计算表明 ,氢在裂尖富集后能形成许多小气团 。

关 键 词：氢 位错发射 分子动力学 计算机模拟 金属 

分 类 号：TG111[金属学及工艺—物理冶金] TB301[金属学及工艺—金属学]