基于RF MEMS开关的新型双频带功率放大器  

Novel Dual-Band Power Amplifier Based on RF MEMS Switches

作　　者：叶刘晓[1,2] 许高斌[1] 曹锐[2] 

机构地区：[1]合肥工业大学应用物理系安徽省微电子机械系统工程技术研究中心,合肥230009 [2]华东电子工程研究所微系统研究中心,合肥230031

出　　处：《微纳电子技术》2009年第3期170-173,共4页Micronanoelectronic Technology

基　　金：安徽省高等学校自然科学研究重点项目(2006KJ026A);东南大学微电子机械系统教育部重点实验室开放基金资助项目(2006SEU-MEMS05)

摘　　要：RF MEMS开关具有低损耗、低功耗、尺寸小和易于集成等优点而被广泛应用于各种可重构射频电路及系统中。通过分析比较电容并联式和串联式RF MEMS开关两种电路结构的射频性能,设计了一种基于RF MEMS开关的新型功率放大器,使用RF MEMS开关控制匹配网络来实现双工作频带的转换。结果表明,设计的功率放大器在2.35GHz和1.25GHz两个工作频带下,功率附加效率(PAE)和输出功率(Pout)可分别达到72%、67%及40.8、42.7dBm。该功率放大器具有较高的功率附加效率和输出功率,适用于多频带的射频系统,对RF MEMS器件在可重构系统中的应用具有一定参考价值。Due to lower insertion loss, lower power consumption, smaller size and easier integration than semiconductor-based switches, RF microelectromechanical system （MEMS） switches are of great interest for RF applications. Based on the RF MEMS switch, a dual-band reconfigurable power amplifier （PA） was presented, and the matching network （MN） can be controlled by the RF MEMS switch in order to realize the conversion of working frequency band. By comparing the microwave characteristics of the RF MEMS shunt switch and series switch, the right switch was chosen to control the PA. The dual-band amplifier can achieve high power added efficiency （PAE） and output power （Pout） under 2.35 GHz and 1.25 GHz frequency bands, respectively. The obtained maximum PAEmax is 72%, 67%, and the Pout is 40. 8 dBm, 42. 7 dBm, respectively. The reconfigurable PA is suitable for RF systems which need to operate at multi-frequency bands, and the technology has reference value for the designs of other reconfigurable RF circuits based on MEMS devices.

关 键 词：RF MEMS开关 功率放大器 双频带 匹配网络 可重构 

分 类 号：TH703[机械工程—仪器科学与技术] TN722.75[机械工程—精密仪器及机械]