热壁外延C_(60)膜的特性研究  

Characterization of C60 Films Grown via Hot-wall Epitaxy

作　　者：陈光华[1,2,3] 严辉[1,2,3] 马国斌 陈鹏[1,2,3] 

机构地区：[1]北京工业大学应用物理系 [2]兰州大学物理系 [3]中国空间技术研究院

出　　处：《北京工业大学学报》1998年第1期9-12,共4页Journal of Beijing University of Technology

基　　金：北京市自然科学基金

摘　　要：研究了不同衬底温度下Ｃ６０膜的热壁外延生长特性．Ｘ射线衍射结果表明，当衬底温度高于１６０℃时，在氟金云母（００１）面上外延生长出完全（１１１）取向了Ｃ６０膜，此外，对薄膜结晶的完整性及晶粒尺寸的随温度的变化进行了讨论．The growth characteristics of C60 films grown at different substrate temperatures via hot-wall epitaxy is investigated. Upon X-ray diffraction , it rurns out tbat entirely (111) oriented C60 films are epitaxially grown on fluorophlogopite (001) plane at substrate temperatures higher that 160℃ . Moreover, variations of crystalline integrity and crystal size with substrate temperatures are discussed.

关 键 词：热壁外延 X射线衍射 碳60 薄膜 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理] O613.71[理学—物理]