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作 者:漆璇[1] 江伯鸿[1] 周伟敏[1] 徐祖耀[1]
机构地区:[1]上海交通大学材料科学系
出 处:《上海交通大学学报》1998年第2期45-48,共4页Journal of Shanghai Jiaotong University
基 金:国家自然科学基金
摘 要:用X衍射线形分析法测定了Fe-30.3%Mn-6.1%Si(质量分数)形状记忆合金经不同温度淬火和经退火后的层错几率Psf.研究了淬火空位、层错几率与马氏体相变点Ms的关系.结果表明,增加淬火空位将促进层错的形成,使Ms提高;且Ms与1/Psf呈线性关系.对可能的机理进行了讨论.The stacking fault probabilities of an Fe 30.3 wt%Mn 6.1 wt%Si SMA for the states of quenching at different austenizing temperature and the state of annealing are measured by X ray diffraction profile analysis. The relationship between the quenched in vacancies, the stacking fault probability and the transformation point of ε martensite, M s, is revealed. The results show that increasing the quenched in vacancies will promote the formation of stacking faults and to enhance the M s temperature. The linear relationship between M s and P sf is as follows: M s=330.7-0.405/ P sf (K). The possible mechanism is discussed.
关 键 词:形状记忆合金 层错几率 淬火空位 ε-马氏体相变点
分 类 号:TG139.6[一般工业技术—材料科学与工程]
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