过渡金属离子掺杂对TiO2的光吸收性能的影响  

作　　者：刘秀华 

出　　处：《中国工程物理研究院科技年报》2008年第1期182-182,共1页Annual Report of China Academy of Engineering Physics

摘　　要：TiO2半导体光催化氧化只能吸收利用在太阳光中仅仅占很小一部分的紫外线，太阳能利用率低。因此在TiO2粉末中掺杂过渡金属离子，利用紫外一可见漫反射吸收光谱考察掺杂元素、掺杂量对TiO2光吸收性能的影响。

关 键 词：TiO2粉末 金属离子掺杂 光吸收性能 半导体光催化氧化 太阳能利用率 过渡金属离子 吸收利用 掺杂元素 

分 类 号：O734[理学—晶体学] TQ174[化学工程—陶瓷工业]