检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:梁军[1] 赵国平[2,3] 孙明俊[4] 黄传威[2]
机构地区:[1]山东交通学院数理系,山东济南250023 [2]四川师范大学物理与电子工程学院.固体物理研究所,四川成都610066 [3]电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054 [4]河南理工大学万方科技学院教务部,河南焦作454000
出 处:《四川师范大学学报(自然科学版)》2009年第2期215-219,共5页Journal of Sichuan Normal University(Natural Science)
基 金:国家自然科学基金(10747007)资助项目
摘 要:纳米永磁晶粒之间的交换耦合相互作用导致在晶界处形成一种类磁畴壁结构的过渡区域.最简单的类磁畴结构——线性磁矩分布,可以给出一维、二维和三维空间中过渡区的宽度、剩磁的解析公式,并很好地解释在各向同性纳米永磁体中观察到的剩磁增强效应,结果与实验值相当吻合.:A transition region of domain-wall like structure forms in the crystalline grain boundary due to the exchange interaction between neighboring grains. The simplest magnetic domain like structnre--linear distribution of magnetic moment, can put forward the analytical formulas to calculate the width and remanence of the transition region in ^1 D (one-dimensional) , ^2D and ^3D spaces, which can explain remanence enhancement effects observed in such materials. The results are in good agreement with the experimental data.
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在链接到云南高校图书馆文献保障联盟下载...
云南高校图书馆联盟文献共享服务平台 版权所有©
您的IP:216.73.216.117