红外光电子学中的新族--量子阱红外探测器  

作　　者：陆卫[1] 李宁[1] 甄红楼[1] 徐文兰[1] 熊大元[2] 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083 [2]华东师范大学信息科学技术学院极化材料与器件教育部重点实验室,上海200241

出　　处：《中国科学（G辑）》2009年第3期336-343,共8页

基　　金：国家自然科学基金(批准号:10474020,10734090,60221502);国家重点基础研究发展规划(编号:2004CB619004)资助项目

摘　　要：回顾了近10年基于半导体中量子限制效应红外探测器的进展.主要关注的是二维限制结构,即量子阱结构,形成的区别与传统红外光子探测的子带跃迁机理.在红外光电子领域作为新族的量子阱红外探测器(quantum well infrared photo-detector,QWIP)与最典型的红外探测器代表碲镉汞红外探测器进行了各自特色的分析,包括基本工作机理和材料与器件的制备技术等方面.对于QWIP发展的回顾提升了与碲镉汞红外探测器之间的互补关系.也给出了对于QWIP在未来发展方面的基本趋势.

关 键 词：红外光电子学 量子阱红外探测器 研究进展 发展趋势 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学] TN201