自催化脉冲激光沉积方法制备ZnO纳米棒阵列  

作　　者：于东麒[1] 胡礼中[1] 李娇[1] 胡昊[1] 林颂恩[2] 张贺秋[1] 陈希[1] 付强[1] 乔双双[1] 

机构地区：[1]大连理工大学物理与光电工程学院,大连116024 [2]美国马里兰大学,马里兰州大学公园20742

出　　处：《中国科学（G辑）》2009年第3期367-371,共5页

基　　金：国家自然科学基金(批准号:50532080);辽宁省教育厅重点实验室基金(编号:20060131);高等学校博士专项科研基金(编号:20070141038)资助项目

摘　　要：采用脉冲激光沉积方法在ZnO作为缓冲层的InP(100)衬底上制备了高密度ZnO纳米棒阵列.扫描电子显微镜图像显示ZnO缓冲层形成较为均匀的岛状结构,ZnO纳米棒具有垂直于衬底的统一生长方向.X射线衍射测试在34.46°出现尖锐的衍射峰,说明ZnO纳米棒具有(002)择优取向.PL谱在380nm出现强的近带边发射峰,在495nm出现弱的深能级发射峰,表明ZnO纳米棒具有较好的光学性质.本实验制备的高质量ZnO纳米棒阵列有望在现在和未来的纳米器件制作中得到应用.

关 键 词：氧化锌 纳米棒阵列 缓冲层 自催化 脉冲激光沉积 

分 类 号：TB383.1[一般工业技术—材料科学与工程]