新型不对称四硫代富瓦烯导电LB膜的研究  

作　　者：李洪启[1] 姚钟麒[1] 刘丹 谭干祖[1] 俞贤达[1] 

机构地区：[1]中国科学院兰州化学物理研究所

出　　处：《化学通报》1998年第2期48-51,共4页Chemistry

摘　　要：新型不对称四硫代富瓦烯导电ＬＢ膜的研究李洪启姚钟麒刘丹谭干祖俞贤达（中国科学院兰州化学物理研究所７３００００）Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｂｌｏｄｇｅｔ（ＬＢ）技术已成为制备分子厚度的有序导电薄膜的有力工具，该领域中四硫代富瓦烯（ＴＴＦ）衍生物是导电ＬＢ膜的研...

关 键 词：四硫代富瓦烯 不对称 LB膜 导电LB膜 导电薄膜 

分 类 号：TM242[一般工业技术—材料科学与工程] O484[电气工程—电工理论与新技术]