一种非对称双原子分子的电子位移极化率计算模型  

Calculation Model of Electron Displacement Polarizability in an Asymmetric Diatomic Molecule

作　　者：陈小林[1] 成永红[1] 吴锴[1] 

机构地区：[1]西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安710049

出　　处：《西安交通大学学报》2009年第4期90-94,共5页Journal of Xi'an Jiaotong University

基　　金：国家安全重大基础研究资助项目(51318010101);教育部科学技术研究重点资助项目(106144)

摘　　要：分析了经典的电子位移极化率的计算模型,指出了这些经典模型在计算非对称双原子分子模型时存在局限性,提出了一种针对非对称双原子分子的电子位移极化率的计算模型.该模型考虑了分子内原子偶极矩对电子位移极化的影响,推导了宏观电场与分子轴平行、垂直、呈任意夹角等典型情况下的非对称双原子分子的电子位移极化率的数学模型.根据该模型计算了六方氮化硼(h-BN)晶体的电子位移极化率,并与经典模型的计算结果进行了比较,进一步分析了所提出模型的适用范围.The conventional calculation models of electron displacement polarizability are summarized and their limitations are revealed. Following the analysis, a new calculation model is developed, which takes the effect of the induced dipole moment of one atom on the polarizability into consideration, and the mathematical expressions are deduced in the cases of macro electric field parallel and perpendicular to the molecular axis, and at a random angle with the axis. The electron displacement polarizabilities in the hexagonal boron nitride （E-BN） crystal are evaluated by the new model. The results are compared with those from the classical models to point out the applied scope of the new model.

关 键 词：电子位移极化率 偶极矩 宏观电场 

分 类 号：TM281[一般工业技术—材料科学与工程]