低频功率放大器设计初步研究  

作　　者：蔡志芳[1] 

机构地区：[1]北京电子科技职业学院电信工程学院

出　　处：《工业设计》2012年第3期179-179,共1页Industrial Design

摘　　要：本文对低频功率放大器的进行初步研究,设计了由运算放大器NE5532P构成前级放大电路、大功率MOS对管IRF530和IRF9530作为功率输出、有源双T型网络作为带阻滤波器的模拟电路为主的电路系统;该电路系统具有的低噪声、高稳定的特点,兼具激励功率小、输出功率大、偏置简单等特性;且具有可对性能指标和工作状态逐级调整的优点,通频带带宽测试结果优于市场同类产品。

关 键 词：低频功放 MOS对管 通频带 

分 类 号：TN722.75[电子电信—电路与系统]