自由电子激光器  

出　　处：《中国光学》2001年第1期31-31,共1页Chinese Optics

摘　　要：TN248.6 2001010203相对论电子沟道辐射产生FEL的可行性分析=Analysis of feasibility of a FFL operation byradiation from relativistic electrons channeledtalin a crystal slab[刊,中]/冯建辉,祝家清,刘圣广,姜孟瑞(华中师范大学物理系.湖北,武汉(430079))∥激光技术.-2000,24(1).-55-58采用连续介质模型,研究了电子在晶片中的单粒子运动轨迹和稳定性条件。导出了晶片中相对论电子的自发辐射谱分布,证实了晶片中相对论沟道电子产生相干辐射的可能性。图3参7(赵桂云)

关 键 词：相对论电子 可行性分析 连续介质模型 沟道辐射 激光技术 自发辐射谱分布 粒子运动轨迹 华中师范大学 自由电子激光器 稳定性条件 

分 类 号：TN248[电子电信—物理电子学]