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检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:钟远聪[1] 欧阳征标[1] 王宏[1] 王仲淳 刘宗平[2] 吴志荣[2]
机构地区:[1]深圳大学电子科学与技术学院太赫兹技术中心深圳市微纳光子信息技术重点实验室,深圳518060 [2]元智大学电机工程学系
出 处:《激光技术》2009年第2期127-129,133,共4页Laser Technology
基 金:国家自然科学基金资助项目(60471047);广东省自然科学基金资助项目(04011308)
摘 要:为了研究光子晶体的光局域特性,采用传输矩阵法计算了1维缺陷光子晶体微腔中缺陷模的局域场强分布,建立了相对局域化长度的概念,它表征光子局域程度的强弱,局域化长度越小,光子局域程度越强,反之亦然。结果表明,缺陷层两侧排列为高折射率介质层的结构局域光的能力比两侧为低折射率介质层的强;考察前一种结构,且满足共振布喇格散射条件或共振米散射条件范围时,相对局域化长度可获得较小值。In order to study the photon localization property of photonic crystal, the localized field distribution of defect modes was computed by means of the optical transmission matrix method. The concept of relative localization length was introduced, which represents the degree of the localization of photons. The shorter the length, the more stronger the degree, and vice versa. The results show that the localization of photons in the structure with a defect layer bordering on high refractive index layers is stronger than that bordering on low refractive index layers. For the former structure, if the condition of resonance Bragg scattering or Mie scattering was satisfied, the relative localization length become smaller.
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