具有抑制窄带干扰带阻特性的3～10GHz超宽带LNA  

3～10 GHz UWB LNA with notch characteristics to suppress in-band interference

作　　者：刘萌萌[1,2] 张盛[3] 王硕[1,2] 张建良[1,2] 周润德[1,2] 

机构地区：[1]清华大学微电子学研究所,北京100084 [2]清华大学信息科学与技术国家实验室,北京100084 [3]清华大学深圳研究生院,深圳518055

出　　处：《清华大学学报（自然科学版）》2009年第4期574-577,共4页Journal of Tsinghua University(Science and Technology)

基　　金：国家"九七三"重点基础研究项目(2006CB302702);国家"八六三"高技术项目(2007AA01Z2B3)

摘　　要：为在超宽带(Ultra-wideband,UWB)通信中抑制工作频带内的窄带干扰,提高接收机性能,提出了一个用于超宽带接收机的具有带阻特性的低噪声放大器(low noiseamplifier,LNA)。该放大器利用源简并电感得到实数的输入阻抗,利用输入匹配网络扩展工作带宽,利用具有带阻特性的负载网络得到宽带内的带阻特性。通过建立源简并结构超宽带LNA的电路模型,分析了超宽带LNA的放大器晶体管尺寸与功耗、增益、噪声系数之间的关系,提出了放大器晶体管尺寸的设计方法,同时给出了输入匹配网络和负载网络的电路结构和设计方法。基于SMIC 0.18μm CMOS工艺的仿真表明,通过该方法设计的LNA,其通带和阻带性都能符合设计指标要求。In-band interference caused by some narrowband services in UWB communication systems is reduced by an low noise amplifier （LNA） with notch characteristics. A source degeneration inductor is used in the LNA to provide input impedance, with an input matching network to broaden the LNA bandwidth. A load network with notch characteristics is used to suppress the in-band interference. The transistor size, input matching network, and load network are designed to trade off among power consumption, gain, and noise of the LNA. Simulations based on SMIC 0. 18μ m CMOS technology show that this LNA design meets the required passband and stopband specifications.

关 键 词：LNA 带阻 超宽带 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学] TN402