BN掺杂可望制得透明太阳电池  

出　　处：《现代材料动态》2009年第4期9-10,共2页Information of Advanced Materials

摘　　要：日本国家材料科学研究所（NIMS）用等离子增强CVD技术制备出高密度多晶BN，并同时进行了激光感生Si掺杂，使BN成为一种宽带隙Ⅲ—Ⅴ族半导体。而在此以前，对BN的掺杂很少成功，使BN成为被“忽略”的半导体材料。所制备的这种半导电致密相BN是当今最“坚固”的半导体之一，它具有独特的耐熔性和可见光透明性。通过在Si上沉积BN，该研究小组制出了一种BN／Si异质二极管太阳电池。其转换效率2％，有效带隙为5．5eV。

关 键 词：太阳电池 N掺杂 半导体材料 Si掺杂 CVD技术 等离子增强 科学研究所 激光感生 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学] TM914.4[电气工程—电力电子与电力传动]