长波长半导体激光器接通时延的解析表达式  

Analytical expression for turn-on delay of longwavelength semiconductor lasers

作　　者：王佳菱[1,2] 陈建国[1,2] 

机构地区：[1]黑龙江商学院 [2]四川联合大学光电系

出　　处：《半导体光电》1998年第3期194-195,共2页Semiconductor Optoelectronics

摘　　要：在考虑了正比于载流子数密度三次方的俄歇效应后，导出了长波长半导体激光器的接通时延（Ｔｕｒｎ－ｏｎｄｅｌａｙ）的解析表达式，并对导出的解析式进行了讨论。Taking into account Auger effect proportional to the cube of the carrier density,an analytical expression for the turn-on delay of a long wavelength semiconductor laser is deduced.A brief discussion is given on the derived expression.

关 键 词：半导体激光器 接通时延 俄歇效应 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]