室温似单电子晶体管高电流分析  

Analysis of Similar-Single Electron Transistors with High Current at Room Temperature

作　　者：张洪涛[1] 许正望[1] 李利荣[1] 黄杰[1] 王琰[1] 宋玲[1] 

机构地区：[1]湖北工业大学电气与电子工程学院,湖北武汉430068

出　　处：《湖南工业大学学报》2009年第2期69-72,共4页Journal of Hunan University of Technology

基　　金：教育部重点科技基金资助项目(206095);教育部留学回国人员科研启动基金资助项目(教外司留[2006]331号);湖北省教育厅重点基金资助项目(D200614002)

摘　　要：在实验中观察到纳米线金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)室温下出现Ⅰ-Ⅴ高电流似单电子库仑阻塞特性。分析了这一现象产生的机理,提出了似单电子库仑阻塞模型,认为纳米线晶体中的结构发生变化,造成特殊的"岛",电子在耦合机制的作用下,形成类似的库伯电子对,在"岛"上实现似单电子隧穿。这时,库仑阻塞效应的机制由单电子变成成对的多电子,这可造成充电能增大,在室温下隧穿。由于耦合电子对的出现,随栅压加大,使电子隧穿时,既可实现库仑阻塞,又使电流加大,室温下出现高电流台阶。Large current intensities of micro-ampere magnitude with Coulomb blockade in I-V curves of nanowire MOSFET devices were analyzed. The phenomena was formed by nanowire crystal because of crystal deformed structure. Single electron tunnels with some electron copula in the island, which make the charging energy become large. When electron tunnels in island with coupling electron pair with increasing gate voltage, the coulomb blockade effect with large current intensities are observed at room temperature.

关 键 词：纳米线MOSFET 单电子晶体管 Ⅰ-Ⅴ大电流 电子对 

分 类 号：TN323[电子电信—物理电子学]