检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
机构地区:[1]浙江大学电气工程学院超大规模集成电路设计研究所,浙江杭州310027
出 处:《电路与系统学报》2009年第2期95-98,共4页Journal of Circuits and Systems
摘 要:不同的集成电路制造工艺,对平衡温度时的带隙基准电压值有影响。为此,本文提出了通过改变带隙基准电压输出级电路结构的方法,实现了在基准电路内部可精确调整基准电压中心值,以满足在不同工艺条件下电路系统对基准电压中心值的精度要求。本芯片根据CSMC公司0.5μm CMOS混合信号工艺模型设计并进行流片。测试结果表明,本文提出的方法能调整基准电压中心值。利用这种方法,可以实现带隙基准电压中心值宽范围的可调,使基准电压的输出完全符合系统所需。The nominal output voltage of a bandgap reference circuit is process-determined and fluctuant as process varies. This paper proposes a novel bandgap reference circuit. By modifying the output stage, the nominal output voltage of the proposed reference circuit can be adjusted accurately in a wide range, so that it can be adapted accordingly to satisfy the requirement of the system under different processes. A test circuit has been implemented in the CSMC 0.5μm CMOS process. The testing results show that the method proposed in this paper can adjust the nominal output value in a wide range.
分 类 号:TN401[电子电信—微电子学与固体电子学]
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在链接到云南高校图书馆文献保障联盟下载...
云南高校图书馆联盟文献共享服务平台 版权所有©
您的IP:3.145.201.156