CdO-Fe_2O_3复合氧化物半导体气敏材料的制备和性能  被引量:8

Preparation and Gas sensing Preperties of CdO Fe 2O 3 System Complex Oxide Semiconductors

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作  者:刘杏芹[1] 徐正良[1] 刘亚飞[1] 沈瑜生[1] 

机构地区:[1]中国科学技术大学材料科学与工程系

出  处:《中国科学技术大学学报》1998年第1期49-54,共6页JUSTC

基  金:国家自然科学基金

摘  要:采用化学共沉淀法,制备了系列CdO-Fe2O3复合氧化物气敏半导体材料,研究了制备条件对电导和气敏性能的影响.结果表明:组分氧化物之间在250℃开始发生反应;Cd/Fe=1/2共沉淀粉料在600℃时形成单一尖晶石CdFe2O4相;电导率和气敏性能随材料体系的化学组成及烧成温度不同而变化;Cd/Fe为1/2产物对乙醇有最高灵敏度和很好的选择性;优化制备工艺制得的气敏元件,对低浓度乙醇气体(100ppm)灵敏度高达20多倍,相当于1000ppm汽油灵敏度的5倍左右,具有应用开发前景.A series of CdO Fe 2O 3 system gas sensing semiconducting materials are prepared by a chemical coprecipitation method. It is found that the reaction between CdO and Fe 2O 3 begins at 250℃ and a pure spinel CdFe 2O 4 phase is obtained at 600℃. The conductance and gas sensing properties are strongly related to the material compositions and synthetical conditions. The element made of the powder with Cd/Fe=1/2 and calcined at 800℃ exhibits the highest sensitivity and best selectivity to ethanol. The gas sensitivity to 100ppm ethanol was more than 20, which is close to 5 times of that to 1000 ppm petrol. This demonstrates its promising value for practical use.

关 键 词:半导体 氧化镉 三氧化二铁 复合氧化物 气敏材料 

分 类 号:TN304.21[电子电信—物理电子学]

 

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