新型金属氧化物薄膜气敏元件基材料的开发  

New basic materials development of a metal-oxide thin film gas sensor

作　　者：田芳[1] 张颖欣 张礼[3] 侯秀萍[3] 裘南畹[3] 

机构地区：[1]山东大学化学与化工学院,山东济南250100 [2]济南半导体实验所,山东济南250100 [3]山东大学物理学院,山东济南250100

出　　处：《山东大学学报（工学版）》2009年第2期104-107,共4页Journal of Shandong University（Engineering Science）

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60372030);山东省火炬计划资助项目(111600/04040214)

摘　　要：根据电导气敏机理的氧负离子理论,提出制备n型金属氧化物气敏基材料的理论,指出禁带宽度Eg>2 eV的金属氧化物材料都有可能研制薄膜气敏元件,并通过Fe2O3/1 %Sb2O3和TiO2薄膜元件的制备和表征,论证了该理论的正确性.According to the negative oxygen ion theory of the conductance gas sensing mechanism, the mechanism of n-metal oxide gas sensing basic materials was put forth, which showed that the thin film gas sensor could possibly be developed by all the metal-oxide materials E8 〉 2 eV. This mechanism was proved to be true by the preparation and characterization of Fe2O3/1% Sb2O3 and TiO2 thin film gas sensor.

关 键 词：金属氧化物 薄膜气敏元件 基材料 

分 类 号：TF123[冶金工程—粉末冶金]