应力作用下CrSi2电子结构的第一性原理计算  

作　　者：周士芸[1,2] 谢泉[1] 闫万珺[1] 陈茜[1] 

机构地区：[1]贵州大学电子科学系、贵州大学新型光电子材料与技术研究所,贵阳550025 [2]贵州安顺学院物理系,安顺561000

出　　处：《中国科学（G辑）》2009年第4期587-591,共5页

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60566001,60766002);教育部博士点专项科研基金(编号:20050657003);贵州省优秀科技教育人才省长专项基金;贵州省优秀青年科技人才培养计划项目(编号:黔科合人20050528);教育部留学回国科研基金(编号:教外司(2005)383);贵州省留学人员科技项目(编号:黔人项目(2004)03);贵州省委组织部高层次人才科研资助项目

摘　　要：应用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势方法计算了CrSi2在应力作用下的电子结构,分析和比较了体系的能带结构、态密度及应力对CrSi2体系电子结构的影响.计算结果表明CrSi2在单轴向应力的作用下,随着压力的逐渐增大,导带向高能方向移动,带隙Eg明显展宽;随着负压力的逐渐增大,带隙缓慢减小,当沿a轴的负压力达到约-18.5GPa时,CrSi2将会由间接跃迁型半导体转变为直接跃迁型半导体,直接带隙宽度Eg=0.32eV.

关 键 词：CrSi2 第一性原理 应力 电子结构 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]