氧掺杂引起的T′相铜氧化合物低温磁性反常  

作　　者：熊玉峰[1,2] 金铎[1] 姚玉书[2] 吴非[2] 贾顺莲[2] 郭树权[2] 赵忠贤[2] 

机构地区：[1]中国科学院低温技术实验中心 [2]中国科学院物理研究所超导国家重点实验室,北京100080

出　　处：《科学通报》1998年第10期1054-1057,共4页Chinese Science Bulletin

摘　　要：采用高压合成的方法对 (Eu1-xYx) 2 CuO4 和Sm2 CuO4 样品进行了氧掺杂 ,并发现了一个位于 2 9K附近新的低温磁性反常 .分析表明该反常也是铜原子磁矩的贡献 ,但有着和T′相化合物弱铁磁不同的形成机理 ,它的出现对应着由掺杂到CuO2 面上的空穴产生的铁磁性团簇 .这一结果还揭示了T′相化合物区别于p型超导材料的一个独特性质 ,即没有顶点氧存在的T′相化合物的CuO2 面只能接受极微量的空穴 ,一旦达到极限 ,不管有多少氧掺杂进物相 ,都不能在CuO2

关 键 词：铜氧化合物 超导体 T'相 掺杂 氧掺杂 磁性 

分 类 号：TM262[一般工业技术—材料科学与工程] O511[电气工程—电工理论与新技术]