PIPS探测器对γ辐射特性的实验研究  

Gamma Radiation experiment study of PIPS detector

作　　者：沈春霞[1] 青建华[2] 王斌[1] 

机构地区：[1]防化指挥工程学院,北京102205 [2]防化研究院二所,北京102205

出　　处：《核电子学与探测技术》2009年第2期281-284,348,共5页Nuclear Electronics & Detection Technology

摘　　要：介绍了钝化离子注入半导体探测器(PIPS),该探测器的γ辐射剂量原理。实验分析研究了探测器对γ的辐射特性,为射线仪器的研制提供了实验依据。This report introduce the detector which is Passivated Implanted Planar Silian（PIPS）. The gamma radiation experiment of the detector has been worked that is basic for the study of radiation instrument.

关 键 词：半导体探测器 钝化离子注入 辐射测量 

分 类 号：TL814[核科学技术—核技术及应用]