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出 处:《国际电子变压器》2009年第1期111-113,共3页
摘 要:文章介绍采用软磁薄膜集成制造的平面传输线型射频(RF)噪声抑制器。该抑制器的纵向结构是由①软磁薄膜(2mm×15mm×1.2μm);②聚酰亚胺膜(2μm厚);③铜(Cu)箔(15.2m长×3μm厚)传输线;④Ti/Cu籽晶层;⑤玻璃基片(1mm厚度)等组成的。共平面传输线用电镀铜的方法制备,其特性阻抗为50Ω。信号线宽为50μm。软磁膜采用射频磁控溅射淀积法制造,基本软磁膜为CoPdAlO和CoNbZr合金材料。将这种磁膜集成式射频噪声抑制器与非集成射频噪声抑制器比较,以噪声抑制器的共振点信号衰减量为例,用1μm厚度的CoNbZr膜时,信号的衰减量从-4dB增大到-30dB;用CoPdAlO膜(2μm厚度)时,则从-15dB增大到-57dB。可见其抑制电磁噪声的效果显著。
关 键 词:软磁膜 射频(RF)噪声抑制器 共平面传输线 铁磁共振
分 类 号:TN713[电子电信—电路与系统]
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