掺锡As_2S_8薄膜光折变效应及其在条波导制备中的应用研究  

Photoinduced refractive index change effect of amorphous Sn-doped As_2S_8 film and its application in stripe waveguide fabrication

作　　者：孙蓓[1] 陈抱雪[1] 隋国荣[1] 王关德[1] 邹林儿[2] 浜中广见[3] 矶守[4] 

机构地区：[1]上海理工大学光电学院,上海200093 [2]南昌大学物理系,南昌330031 [3]日本法政大学工学院物质化学系,日本184-8584 [4]日本东京农工大学工学院应用化学系,日本184-8588

出　　处：《物理学报》2009年第5期3238-3242,共5页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60677032);教育部博士学科点专项基金(批准号:20060252005);上海市重点学科建设项目(批准号:T0501);江西省自然科学基金(批准号:2007JZW2048)资助的课题~~

摘　　要：实验研究了Sn1As20S79非晶态半导体薄膜的光折变效应及其膜厚变化的现象,归纳了沉积态样品、退火态样品和光饱和态样品的实验规律,提出和采用紫外光激励的方法试制了Sn1As20S79条形波导,632.8nm波长导模激励显示该波导具有良好的导波特性.Photoinduced changes in refractive index and film thickness of amorphous Sn1 As20 S79 semiconductor film are studied experimentally. The emperical rules in as-evaporated, annealed and well-illuminated states are obtained respectively. An ultraviolet irradiation technique is presented and employed successfully to fabricate a Sn1 As20 S79 stripe waveguide, which shaws good characteristics of a waveguide under the 632.8nm guided mode excitation.

关 键 词：光波导技术 硫属化合物玻璃 光阻断效应 光折变效应 

分 类 号：O484[理学—固体物理]