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作 者:王磊[1] 杨成韬[1] 解群眺[1] 叶井红[1]
机构地区:[1]电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054
出 处:《物理学报》2009年第5期3515-3519,共5页Acta Physica Sinica
基 金:国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:61363Z)资助的课题~~
摘 要:以层状磁电复合材料弹性力学模型为基础,建立了自由状态下双层纳米磁电薄膜的弹性力学模型,并以此为基础简单介绍了推导其磁电电压系数表达式的方法.计算了CoFe2O4/Pb(Zr0.52Ti0.48)O3双层纳米复合薄膜的磁电电压系数理论值,分析结果表明基片对薄膜存在强烈的夹持效应,而且基片对压电与磁致伸缩两相材料间最佳体积比有一定的影响.Based on the elasticity mechanical model, we employ the free-state bilayer magnetoelectric nano-thin film model which introduces the magnetoelectric (ME) theoretical voltage coefficient formula simply. By this way, the ME voltage coefficient of CoFe2 O4/Pb (Zr0.52 Ti0.48 )O3 bilayer has been calculated and analyzed under the corresponding material parameters. The results show that the ME voltage coefficient is reduced significantly when the thickness of substrate increases due to the gripping effect. The optimum volume ratio of piezoelectric film and magnetoelectric film increase when the gripping effect increasing.
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