掺杂对涂层超导体CeO_2缓冲层薄膜临界厚度影响的理论计算  

作　　者：潘敏[1] 黄整[2] 麻焕锋[2] 强伟荣[2] 韦联福[1] 王龙[2] 赵勇[1,3] 

机构地区：[1]西南交通大学磁浮技术与磁浮列车教育部重点实验室,超导研究开发中心,成都610031 [2]西南交通大学物理科学与技术学院,成都610031 [3]新南威尔士大学材料科学与工程学院超导研究所

出　　处：《中国科学（G辑）》2009年第5期688-692,共5页

基　　金：西南交通大学青年教师科研起步项目(编号:2007Q017);国家自然科学基金(批准号:50588201;10874142);国家重点基础研究计划(编号:2007CB616906)资助项目

摘　　要：采用第一性原理平面波赝势法计算了稀土元素掺杂超导带材缓冲层CeO2的晶体结构、电子能带、态密度和弹性常数,研究掺杂使CeO2缓冲层临界厚度增加的规律及其机理.在计算范围内,发现掺杂以后的晶胞体积V和弹性常数E*的变化主要取决于系统的电子数增加,拟合得到了弹性常数E*和系统电子数增量Δne之间的变化关系.分析表明,掺入Sm,Gd和Dy可以使Ce1-xRExO2缓冲层薄膜的临界厚度分别提高22%,43%和33%.

关 键 词：CEO2 第一性原理 薄膜临界厚度 弹性常数 

分 类 号：TM26[一般工业技术—材料科学与工程]