超导HEB混频器的设计与制备  

作　　者：王金平[1] 康琳[1] 王玉[1] 钟杨音[1] 梁敏[1] 陈健[1] 曹春海[1] 许伟伟[1] 吴培亨[1] 

机构地区：[1]南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所,南京210093

出　　处：《科学通报》2009年第9期1218-1221,共4页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家高技术研究发展计划(编号:2006AA12Z120);国家重点基础研究发展计划(编号:2006CB601006;2007CB310404)资助项目

摘　　要：展示了一种基于超导NbN薄膜材料的HEB混频器的设计与制备工艺,详细介绍了高阻硅衬底上的超薄NbN薄膜的生长技术、HEB器件的结构、超导微桥区和平面等角螺旋天线的阻抗匹配等内容.测量研究了超导NbN HEB的电阻-温度(R-T)曲线、不同温度下的电流-电压(I-V)曲线以及HEB对太赫兹(THz)信号的响应特性.用Y因子方法测量了HEB器件的噪声温度,在2.5THz的太赫兹波辐照下,其最低噪声温度为2213K.

关 键 词：HEB 超薄NbN薄膜 平面等角螺旋天线 噪声温度 

分 类 号：TN773[电子电信—电路与系统] TM26[一般工业技术—材料科学与工程]