1.55μmInGaAsP/InP部份增益耦合分布反馈式激光器/电吸收调制器集成器件  

1.55 μm InGaAsP/InP Partially Gain Coupled DFB Laser/Electroabsorption Modulator Integrated Device

作　　者：罗毅[1,2] 文国鹏 孙长征[1,2] 李同宁 杨新民 王任凡 王彩玲 金锦炎 

机构地区：[1]集成光电子学国家重点联合实验室 [2]清华大学电子工程系 [3]武汉电信器件公司

出　　处：《Journal of Semiconductors》1998年第7期557-560,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金杰出青年基金;"863"高技术计划

摘　　要：本文首次报道一种结构简单的１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ部份增益耦合ＤＦＢ激光器与电吸收调制器的单片集成器件．该器件采用脊波导进行横模限制，阈值电流范围为３０～６０ｍＡ，典型边模抑制比大于４０ｄＢ，反向偏压３Ｖ时的消光比为１１ｄＢ．Abstract We report a simple structure for 1.55μm InGaAsP/InP partially Gain Coupled DFB Laser/Electroabsorption Modulator monolithic integrated device for the first time. Ridge waveguide is adopted for transverse mode confinement. The threshold current of the devices is distributed over a range of 30～60mA, typical side mode suppress ratio is 40dB and on off ratio is 11dB.

关 键 词：光通信 半导体激光器 集成器件 EA调制器 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学] TN761